Yüksek Kapasiteli SSD’lerin Kapısı Aralanıyor: 321 Katmanlı TLC NAND Bellek Tanıtıldı

Bellek işinde uzmanlaşan SK Hynix, Flash Memory Summit 2023’te 321 katmanlı TLC NAND belleğini ilk defa sergiledi. Bu yeni flaş türü 2025 yılında seri üretime girecek, ancak şirket geleceğe hazır olduğunu göstermek için şimdiden müşterileri ve teknoloji severlere bir sunum yaptı.

Gösterilen bellek yongası 1Tb kapasiteye (128 GB) ve 3D TLC mimarisine sahip. SK Hynix, 321 katmanlı belleklerin 512Gb 238 katmanlı 3D TLC’ye kıyasla verimlilikte %59’luk bir iyileşme sağladığını ve bunun da somut bir depolama yoğunluğu artışına işaret ettiğini söylüyor. Ancak şirket 321 katmanlı NAND yongaları nasıl ürettiğini ve önceki nesil üretim tekniklerine kıyasla bit başına yaklaşık maliyetleri açıklamıyor.

SK Hynix’in en düşük kapasiteli 321 katmanlı NAND çipleri 128 GB veri depolayabiliyor. Bu da demek oluyor ki birkaç yıl içinde premium SSD’ler günümüze kıyasla çok daha yüksek kapasitelere çıkabilecek. SK Hynix ile birlikte çalışan SSD üreticileri, yüksek yoğunluğa sahip bellekleri ve gelişmiş kontrolcüler kullanarak yeni ürünler tasarlayacak.

SK Hynix henüz 321 aktif katmana nasıl ulaştığını açıklamıyor ki bu normal. Üretici muhtemelen bunu bir veya daha fazla 3D NAND devresini üst üste istifleyerek, hepsini birbirine bağlayan gelişmiş ara bağlantı teknolojileri kullanarak başardı. Geleneksel olarak SK Hynix, kalıp boyutunu ve maliyetleri azaltmak için 3D NAND bellek hücreleri dizisinin altına yerleştiren CMOS under Array (CuA) mimarisini kullandığı için çok katmanlı NAND belleğini ‘4D NAND’ olarak etiketliyor. Bu arada, benzer düzen ‘3D NAND’ terimini kullanan Micron tarafından da kullanılmakta.

SK Hynix NAND geliştirme başkanı Jungdal Choi yeni teknolojileri şu sözlerle anlattı:

İstifleme sınırlamalarını ele alan bir başka atılımla SK Hynix 300’den fazla katmana sahip NAND çağını açacak ve pazara öncülük edecek. Yüksek performanslı ve yüksek kapasiteli NAND’ın zamanında piyasaya sürülmesiyle, yapay zeka çağının gereksinimlerini karşılamak ve inovasyona öncülük etmeye devam etmek için çaba göstereceğiz.

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir